반도체 공정_FinFET 찾다가...

http://kmstudio.egloos.com/2861214

 

좋은 내용이 있길래 이렇게 퍼와 봄.

 

수백nm 공정나올 때 부터 지금 10nm 까지 내려오도록 별 관심 없었다는 게 신기하기도 하지만;;;

이제라도 찾아본 게 어디야. 위안을 삼아보며.

 

사실은 공정보다는 FinFET 기술이 들어갔다길래 찾아본 것.

 

 

 

 

 

XX nm 공정에서 XX가 의미하는 것

 

정의 : transistor (S와 D가 언급되는 걸 보면 FET겠지, 구조를 보면 Metal Oxide Silicon FET)의 Source와 Drain 사이의 최소 거리, minimum device length, 번역하면 최소선폭,

 

효과 : 최소선폭이 좁아질 수록 TR의 스위칭 성능이 좋아짐 (성능을 높이는 첫째 방법)

 

기술적인 효과 : 스위칭 성능이 좋아진다는 건 스위치 동작속도가 빨라지거나, 스위치를 구동하는데 사용되는 에너지가 적게 소모된다는 것, 즉 high performance 거나 low power 설계가 가능해진다는 것

 

 

 

 

덧 : TR의 스위치 성능을 높이는 둘째 방법

     (켜기 / 끄기를 결정하는 게이트의 민감도를 높임)

 

정의 : 게이트와 (소스/드레인/바디) 사이를 절연시킨 절연체인 gate oxide의 두께를 줄임

 

효과 : 옥사이드의 두께가 얇아질 수록 스위치의 민감도가 높아져 TR의 스위칭 성능이 좋아짐

 

기술적인 효과 : 최소선폭 줄이는 것과 동일하게 high performance거나 low power 설계 가능

 

 

 

FinFET

 

정의 : 22nm 미만의 공정으로 오게 되면 드레인과 소스사이의 거리가 워낙 가까워 절연이 되기 어려움, 그래서 게이트를 2개 사용하여 FET를 만들게 됨, (게이트가 지느러미 fin 처럼 생긴 것 때문에 finFET가 됨)

 

기술적인 효과 : FET의 누설전류가 낮아짐( --> 저전력 설계에 유리???) etc