출처 : Basic Calculation of a Buck Converter's Power Stage, TI http://www.ti.com/analog/docs/litabsmultiplefilelist.tsp?literatureNumber=slva477b&docCategoryId=1&familyId=64&keyMatch=slva477b&tisearch=Search-EN-Everything 아. 젠장. 사진이나 캡춰가 안 올라가는 구나.이놈의 보안...보안... 1 Basic Configuration of a Buck Converter 어떤 회로들은 Converter 회로에 있는 Diode를 2nd SW로 바꿔서 사용하기도 함 1.1 Necessary Parameters of the Power Stage..
http://kmstudio.egloos.com/2861214 좋은 내용이 있길래 이렇게 퍼와 봄. 수백nm 공정나올 때 부터 지금 10nm 까지 내려오도록 별 관심 없었다는 게 신기하기도 하지만;;; 이제라도 찾아본 게 어디야. 위안을 삼아보며. 사실은 공정보다는 FinFET 기술이 들어갔다길래 찾아본 것. XX nm 공정에서 XX가 의미하는 것 정의 : transistor (S와 D가 언급되는 걸 보면 FET겠지, 구조를 보면 Metal Oxide Silicon FET)의 Source와 Drain 사이의 최소 거리, minimum device length, 번역하면 최소선폭, 효과 : 최소선폭이 좁아질 수록 TR의 스위칭 성능이 좋아짐 (성능을 높이는 첫째 방법) 기술적인 효과 : 스위칭 성능이 좋아..